[GEN - 주한외국기업뉴스] 이재명 대통령은 16일 "부마민주항쟁과 광주민주화운동을 헌법 전문에 담아내는 일은 대한민국의 민주주의와 국민주권을 지켜내기 위한 우리 국민들의 피어린 역사를 잊지 않도록 하는 최소한의 조치"라며 국회가 개헌을 위한 국민 의견 수렴과 합리적인 토론에 조속히 나서달라고 요청했다.
이 대통령은 이날 부산광역시청 대강당에서 열린 제47주년 부마민주항쟁 기념식에 참석해 "5·18 정신과 부마민주항쟁의 정신을 헌법 전문에 수록하자는 것은 여야 없이 모두가 때만 되면 하던 이구동성 아니었느냐"며 "이제 말이 아니라 행동으로 실천할 때"라고 밝혔다.
이 대통령은 기념사에서 47년 전 부산과 마산에서 시작된 부마민주항쟁을 "거대한 독재의 어둠을 뚫고 꺼지지 않는 불꽃이 되어 민주공화국 대한민국을 환하게 밝힌" 역사로 평가했다.
그러면서 "오늘날 우리가 너무나 당연하게 누리고 있는 민주주의는 결코 저절로 얻어진 것이 아니다"며 선거를 통해 주권자의 대리인을 직접 뽑고, 누구나 정부와 권력자를 자유롭게 비판하고 의견을 낼 수 있게 된 것은 시민들의 희생과 저항의 결과라고 강조했다.
이 대통령은 유신체제 아래 정치적 반대와 비판의 목소리가 탄압받고 언론과 표현의 자유가 통제됐던 당시 상황을 언급하며 "그 상황 속에서도 침묵하지 않는 용감한 시민들이 있었다"고 말했다.
이어 부산대학교 교정에서 시작된 '유신 철폐', '독재 타도'의 외침이 시민들의 연대 속에서 커졌고, 회사원과 노동자들이 합세하면서 부산에서 마산까지 확산됐다고 설명했다.
이 대통령은 "계란으로 바위 치기 같았던 47년 전 그날의 외침은 마침내 유신독재라는 거대한 벽에 작은 균열을 만들어냈다"며 "부마민주항쟁은 단지 하나의 독재를 끝낸 것에 그치지 않는다"고 말했다.
특히 "권력은 국민 위에 군림할 수 없고 국가는 국민을 위해 존재해야 한다는 확고한 원칙을 지켜냄으로써 대한민국 민주주의 발전에 단단한 주춧돌이 됐다"고 강조했다.
이어 "부마의 함성과 정신은 80년 오월 광주로, 다시 87년 6월 민주항쟁으로, 그리고 촛불혁명과 12·3 빛의 혁명으로 이어지고 있다"며 "시대와 거리의 모습은 달라도 국민주권이라는 뜨거운 열망만큼은 하나였다"고 밝혔다.
이 대통령은 이에 부마민주항쟁을 "대한민국 역사에 결코 빼놓을 수 없는 이름이자 대한민국 민주주의의 위대한 이정표 중 하나"라고 평가하고, 그 정신을 역사와 국민의 가슴에 새겨 다음 세대에 온전히 전하는 것이 현재 세대의 몫이라고 말했다.
아울러 과거 국가권력에 의한 피해 회복 의지도 밝혔다.
이 대통령은 "우리 국민주권정부는 지난날 국가권력이 주권자 국민에게 남긴 상처와 아픔을 결코 외면하지 않을 것"이라며 "억울한 피해자들의 명예 회복에도 최선을 다하겠다"고 말했다.
그러면서 "그것이 오늘의 국가가 마땅히 해야 할 최소한의 책무"라고 강조했다.
이 대통령은 앞으로 나아가야 할 방향과 관련해서도 "다음 세대가 살아갈 위대한 대한민국은 민주주의를 위해 다시는 국민이 삶을 포기하거나 희생되지 않는 나라여야 한다"고 말했다.
이어 "주권자로서 당연한 권리를 행사하는 데 특별한 용기가 필요하지 않은 나라, 국민이 권력을 두려워하는 것이 아니라 권력이 언제나 국민을 두려워하는 진정한 민주공화국이어야 한다"고 밝혔다.
또 "47년 전 부산과 마산의 시민들이 함께 어깨 걸치고 외쳤던 국민주권이 살아 숨 쉬는 진정한 민주공화국 대한민국을 향해 우리 모두 흔들림 없이 나아가야 한다"며 "오늘 우리가 함께 만드는 민주주의가 대한민국의 내일을 밝히는 역사적인 등불이 될 수 있도록 온 힘을 다하겠다"고 강조했다.
한편, 이날 기념식은 '다시 시월, 꺼지지 않는 불꽃'을 주제로 진행됐다. 이 대통령은 김혜경 여사와 함께 참석했으며, 부마민주항쟁 유공자와 유가족, 민주화운동 관련 단체 관계자, 정부·국회·지방정부 인사 등이 자리했다.
행사에서는 부마민주항쟁의 역사를 담은 경과보고 영상과 미디어아트, YH무역 사건과 부마민주항쟁을 소재로 한 공연 등이 이어졌다. 기념공연에서는 밴드 부활과 뮤지컬 배우들이 무대에 올랐으며, 참석자들은 함께 노래를 부르며 행사를 마무리했다.
[GEN - 주한외국기업뉴스] 차세대 반도체의 핵심 소재로 주목받는 ‘2차원 반도체’를 원자층 단위로 정교하게 가공하는 새로운 기술이 개발됐다. 복잡한 물질 적층 공정을 간소화하고 초미세·저전력 반도체를 개발하는 데 기여할 것으로 기대된다.
과학기술정보통신부는 기초과학연구원(원장 장석복, 이하 ‘IBS’) 반데르발스 양자 물질 연구단 조문호 단장(POSTECH, 포스텍 석학 교수) 연구팀이 2차원 반도체를 구성하는 원자를 선택적으로 바꿔, 하나의 박막에 반도체·절연체·준금속 영역을 원하는 층과 위치에 구현하는 ‘모듈형 트랜지스터 제작 기술’을 개발했다고 밝혔다.
이번 연구는 과기정통부의 IBS 기초과학연구단 지원 사업을 통해 수행됐으며, 세계적 학술지 '사이언스(Science)'에 10월 16일(금) 오전 3시(KST) 게재됐다.
인공지능(AI) 기술의 발전으로 반도체의 미세화와 전력 효율을 높이기 위한 연구가 활발하다. 특히 원자층 두께에도 전류를 제어할 수 있는 2차원 반도체는 기존 실리콘 반도체의 미세화 한계를 극복할 차세대 소재로 주목받고 있다. 글로벌 반도체 기업과 연구기관을 중심으로 산업용 웨이퍼 공정에 적용하기 위한 연구가 진전되고 있지만, 실제 전자소자로 구현하려면 서로 다른 물질을 정교하게 집적해야 하는 기술적 과제가 남아 있다.
대표적 반도체 소자인 트랜지스터는 전류를 켜고 끄는 스위치로, 전류가 흐르는 반도체와 이를 제어하기 위한 절연막, 전류가 드나드는 금속 전극이 필요하다. 그러나 2차원 반도체는 표면에서 다른 물질과 화학적으로 잘 결합하지 않아 절연막을 균일하게 입히기 어렵다. 금속 전극을 직접 붙이면 접촉면이 손상되거나 전기 저항이 커져 성능이 떨어질 수도 있다. 서로 다른 얇은 물질을 한 장씩 옮겨 쌓는 방법도 있지만, 공정이 복잡해 넓은 면적에 균일하게 적용하거나 대량 생산으로 확대하는 데 한계가 있었다.
연구진은 서로 다른 물질을 쌓는 대신 2차원 반도체를 이루는 원자를 선택적으로 바꿔 필요한 물질을 원하는 위치에 직접 만드는 방식을 고안했다.
연구에 사용한 p형 반도체 ‘이셀레늄화텅스텐(WSe₂)’은 금속인 텅스텐(W) 원자층을 셀레늄(Se) 원자층이 위아래로 감싼 구조다. 연구진은 중심의 텅스텐 원자는 그대로 두고 주변의 셀레늄 원자만 다른 원자로 바꾸면 물질의 전기적 성질도 달라지는 원리를 활용했다.
연구진은 다층 이셀레늄화텅스텐 박막의 원하는 층과 위치에서 셀레늄 원자를 산소(O), 황(S), 텔루륨(Te)으로 선택적으로 치환했다. 이를 통해 각각 절연체인 산화텅스텐(WOₓ), n형 반도체인 이황화텅스텐(WS₂), 전기가 잘 통하는 준금속 이텔루륨화텅스텐(WTe₂)으로 변환했다.
이 과정에서 박막의 층과 층 사이에 있는 미세한 틈이 반응 원자의 이동을 가로막는 장벽으로 작용한다는 점을 이용했다. 반응 온도와 반응 기체의 압력을 조절해 화학반응이 다음 층으로 넘어가는 것을 제어함으로써, 약 0.7나노미터(nm) 두께의 원자층 단위로 물질을 변환했다. 또한 반도체 공정용 마스크(가림막)를 활용해 평면상의 원하는 위치만 선택적으로 바꾸는 데에도 성공했다.
연구진은 이 기술로 하나의 박막에 반도체(이셀레늄화텅스텐)와 절연막(산화텅스텐), 준금속 전극 접합층(이텔루륨화텅스텐)을 갖춘 모듈형 트랜지스터를 구현했다. 전류의 원활한 흐름을 돕는 준금속 접합층을 적용하자 금속 전극에서 반도체로 전하가 이동할 때 넘어야 하는 에너지 장벽이 35.5밀리전자볼트(meV)까지 낮아졌다. 금속 전극을 직접 붙이는 경우와 비교해 약 3분의 1 수준으로, 전류가 더 쉽게 흐를 수 있음을 의미한다.
전류를 켜고 끄는 성능도 이론적 한계에 근접했다. 전류를 10배로 바꾸는 데 필요한 게이트 전압의 변화량이 61.3밀리볼트로, 상온에서 기존 방식의 트랜지스터가 도달할 수 있는 이론적 최솟값인 약 60밀리볼트에 가까웠다. 켜진 상태와 꺼진 상태의 전류 비율도 1,000만 배 이상으로 나타나, 적은 전압 변화로 전류를 안정적으로 제어할 수 있음을 확인했다.
또한 산화텅스텐 절연막은 전기적 성능을 두께로 환산한 등가산화막두께(EOT)가 1나노미터 미만으로, 국제 반도체 로드맵*에서 제시한 초미세 소자의 핵심 성능 목표 수준을 달성했다.
나아가 연구진은 p형과 n형 트랜지스터를 수직으로 쌓아 ‘상보형 인버터’를 제작했다. 인버터는 입력된 전기 신호를 반대로 바꾸는 디지털 회로의 기본 구성요소다. 제작한 인버터는 1볼트(V)의 낮은 전압에서도 신호를 반전시켜, 이번 기술이 개별 소자를 넘어 적층형 집적회로로 확장될 가능성을 보여줬다.
이번 연구는 개별 소재나 접합면의 성능 개선을 넘어, 트랜지스터의 주요 구성요소를 하나의 박막에 구현했다는 데 차별성이 있다. 연구진은 이 기술을 다양한 2차원 반도체 소재에 적용하고 웨이퍼 크기의 대면적 공정으로 발전시키는 한편, 3차원 적층형 집적회로 등 차세대 초미세·저전력 반도체 기술로의 응용 가능성을 탐색할 계획이다.
조문호 IBS 단장은 "이번 연구는 원자 단위 물질 조작이라는 기초 물질과학의 기법을 현대 반도체 기술에 접목해 미래 반도체 기술의 질적 도약을 위한 돌파구를 마련했다는 데 의미가 있다"며, “초저전력·초미세 반도체는 물론 차세대 적층형 반도체 소자 기술로도 확장될 수 있을 것"이라고 전했다.
김성수 과기정통부 연구개발정책실장은 “이번 연구는 기초과학 연구가 차세대 국가 전략기술인 반도체 분야의 난제를 해결하고 새로운 공정 패러다임을 제시한 대표적인 혁신 사례”라며, “앞으로도 원천기술이 우리나라 산업 경쟁력으로 이어질 수 있도록 기초·원천 연구 지원을 아끼지 않겠다”라고 밝혔다.
[GEN - 주한외국기업뉴스] “강남을 힘차게! 구민을 신나게! 강남 대전환!!” 강남구가 10월 21일 오후 1시부터 5시까지 강남역 11번 출구 강남스퀘어 광장에서 외국인 주민과 관광객이 함께하는 다문화 축제 ‘강남 글로벌 페스타 (Gangnam Global Festa)’를 연다.
이번 행사는 강남에 거주하는 외국인과 관광객 등이 한데 어우러져 한국의 전통과 현대 문화를 직접 체험하고, 서로의 문화를 이해하며 소통하는 자리다. 특히, 강남을 대표하는 랜드마크이자 유동인구와 외국인 방문이 몰리는 강남역에서 개최되는 만큼 외국인에게는 한국의 다채로운 매력을 알리고 내국인에게는 풍성한 다문화 교류의 기회를 제공할 예정이다.
행사장에는 관람객들의 눈과 귀를 사로잡을 'K-컬처 체험존'이 운영된다. ▲케데헌(K-pop Demon Hunters) ‘갓’ 키링 만들기 ▲달고나 만들기 ▲태극기 페이스페인팅 ▲노리개 만들기 ▲훈민정음 이름 키링만들기 등 한국의 문화적 요소와 최신 트렌드를 접목한 다채로운 프로그램이 마련된다.
화려한 무대 프로그램도 함께 펼쳐진다. 개막식에서는 강남글로벌빌리지 합창단이 ‘10월의 어느 멋진 날에’, ‘We are the world’를 합창하며 막을 열고, 이어 ▲외국인 소고춤 공연 ▲전통 혼례복(대례복) 착용 시연 ▲국악 밴드 공연 등이 현장 분위기를 한층 뜨겁게 달굴 전망이다.
김현기 강남구청장은 “이번 행사는 외국인 주민과 관광객이 함께하며 한국의 문화를 깊이 이해하고 즐기는 뜻깊은 자리가 될 것”이라며 “앞으로도 세계적인 글로벌 도시 강남의 명성에 걸맞게 다양한 문화가 공존하고 긴밀히 소통할 수 있는 교류의 장을 지속적으로 넓혀 가겠다”고 밝혔다.
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